憑借功耗低、體積小、可靠性和輸出信號(hào)較高等優(yōu)點(diǎn)，基于巨磁阻GMR效應(yīng)的角度和位置傳感器被廣泛應(yīng)用于數(shù)控機(jī)床、車速測(cè)量、非接觸式開關(guān)和旋轉(zhuǎn)編碼器等領(lǐng)域。

什么是巨磁阻GMR效應(yīng)？

磁阻效應(yīng)是物質(zhì)的電阻在磁場(chǎng)作用下發(fā)生變化的現(xiàn)象。通常情況下，物質(zhì)的電阻率在磁場(chǎng)中僅出現(xiàn)輕微下降。巨磁阻效應(yīng)是指在特定情況下，電阻率減小幅度非常劇烈，比常規(guī)磁性金屬或合金材料的磁電阻高出10倍的現(xiàn)象。Peter Grünberg和Albert Fert在1988年分別獨(dú)立發(fā)現(xiàn)了巨磁阻效應(yīng)，并于2007年共同獲得了諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的殊榮。

巨磁阻GMR傳感器的感應(yīng)材料包括參考層、普通層和自由層。參考層具有固定磁化方向，其磁化方向不受外磁場(chǎng)方向影響，而自由層磁化方向會(huì)隨外界平行磁場(chǎng)方向的改變而改變。普通層為非磁性材料薄膜，位于參考層和自由層之間。巨磁阻電阻值由參考層和自由層磁化方向之間的夾角決定。當(dāng)參考層和自由層磁化方向一致時(shí)，電阻值最小。當(dāng)參考層和自由層磁化方向相反，則電阻值最大。

關(guān)于巨磁阻GMR傳感器磁體

需要指出的是：巨磁阻GMR傳感器和霍爾傳感器分別適用于測(cè)量磁體位置對(duì)水平磁場(chǎng)和垂直磁場(chǎng)的影響。巨磁阻GMR傳感器磁體需要在指定氣隙內(nèi)提供相匹配的磁場(chǎng)強(qiáng)度，過(guò)低或過(guò)高的磁場(chǎng)強(qiáng)度均會(huì)增加角度誤差。當(dāng)巨磁阻GMR傳感器磁體所提供的磁場(chǎng)強(qiáng)度過(guò)低時(shí)，自由層磁化方向無(wú)法與外磁場(chǎng)對(duì)齊，而過(guò)高的磁場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)影響參考層的磁化方向。