TMR傳感器是一種具有劃時代意義的磁電阻效應傳感器，近些年在工業(yè)上得到了廣泛應用。相比于AMR傳感器和GMR傳感器，TMR傳感器不但擁有更大的電阻變化率，還具備成本及功耗低，響應頻率和靈敏度高等特點。

什么是隧穿磁電阻效應？

? ? ? ? 由兩層鐵磁薄膜和中間絕緣層所組成的三明治結構被稱為磁性隧道結。當兩個鐵磁層的磁矩相對取向發(fā)生改變時，磁性隧道結的隧穿電阻將發(fā)生改變，這種現(xiàn)象就被稱為隧穿磁電阻效應。TMR元件與GMR元件具有基本一致的結構，但兩者的電流分別垂直和平行于膜面流過。

釘扎層具有固定的磁化方向，自由層的磁化方向則會根據外加磁場方向發(fā)生變化，TMR元件的電阻也隨之改變。當自由層的磁化方向平行于釘扎層的磁化方向時，TMR元件具有最小的電阻值，經過勢壘的電流高。相反，當磁化方向反平行時，電阻顯著上升，經過勢壘的電流低。

從量子力學角度講，當兩層鐵磁層的磁化方向相互平行時，多數自旋子帶的電子會進入另一磁性層中的多數自旋子帶的空態(tài)，少數自旋子帶的電子也將進入另一磁性層中少數自旋子帶的空態(tài)，總的隧穿電流更大，器件呈低阻態(tài)。當兩層鐵磁層的磁化方向呈反平行時，多數自旋子帶的電子會進入另一磁性層中少數自旋子帶的空態(tài)，而少數自旋子帶的電子進入另一磁性層中多數自旋子帶的空態(tài)，總的隧穿電流更小，器件呈高阻態(tài)。

關于TMR傳感器磁體

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